【3C在线 沈阳资讯】随着年关将近，对于NAND型闪存(Flash)业者而言，压力却是有增无减，原因在于各大NAND Flash厂50纳米工艺纷大量开出，然而市场需求部分却因旺季效应即将告一段落，使得NAND Flash厂不得不频向下游客户端示好，希望客户能协助其大量出清库存，此外，NAND Flash业者更采自救方式，自行跳下来制造NAND Flash卡成品销售，以利加速出清NAND Flash芯片库存。

　　近几周来NAND Flash价格一再向下修正，估计未来几周NAND Flash合约价及现货价反弹力道恐怕亦相对有限，而造成这波NAND Flash报价持续走弱主因，在于无论是美光(Micron)、东芝(Toshiba)、三星电子(Samsung Electronics)或海力士(Hynix)等大厂，50纳米工艺NAND Flash产能均全数开出，且愈接近2007年底产能只增不降，市场供给量将快速激增，因而无法有效去化库存。

　　内存业者坦言，由于圣诞节采购旺季已正式告一段落，目前市场上已没有太多需求，导致这波买气出现明显回软情况，而在供给增加、需求却没办法同步提升影响下，NAND Flash合约价已持续走弱，根据DRAMeXchange所公布12月上旬合约价，下跌幅度最高达20%。

　　不少NAND Flash大厂为此已展开自救及求人动作，除一些策略性降价促销动作外，几家NAND Flash业者亦开始自行制造NAND Flash卡片成品，希望通过自制NAND Flash卡成品动作，不需再经由下游客户端买进NAND Flash芯片，再包装为成卡卖出，这样一来可加速NAND Flash厂出清既有库存。

　　此外，NAND Flash厂亦纷透过下游客户端帮忙，期盼客户能吃下更多NAND Flash库存，使其得能进一步有效降低库存水位，目前包括美光、海力士及东芝等大厂，均向客户端频招手，一再询问是否有意增加采购量。而对于NAND Flash大厂希望客户端帮忙动作，客户端普遍还是照单全收，但仅能通过加快左手进、右手出方式，使其本身不至于发生库存跌价损失。

　　NAND Flash厂认为，就短期来看，若通过这波降价促销活动，能刺激由圣诞节到农历春节期间对NAND Flash相关产品买气，可望让NAND Flash合约价跌幅在传统销售淡季时将较为缓和。

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